【IT・通信】サムスンがクアルコムから受注失敗=現地紙[6/14] [無断転載禁止]©2ch.net
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韓国メディアは、サムスン電子が半導体大手の米クアルコムから携帯端末向け新型チップ「スナップドラゴン」の受注に失敗したと報じた。
報道によると、クアルコムは回路線幅が７ナノ（ナノは10億分の１）メートルのチップの生産を台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）に委託したもよう。サムスン電子が受注できなかった背景に、工程開発の遅れがあるという。
サムスン電子は今年５月にＬＳＩ事業部から受託生産を専門に手掛ける「ファウンドリー事業部」を独立させた。当初の売上高目標である５兆ウォン（約4,900億円）のうち、クアルコムから約２兆ウォン規模の受注を見込んでいた。
サムスン電子の広報担当者はＮＮＡの取材に対し「報道の内容は確認できない」と答えた。
https://www.nna.jp/news/show/1621509
2017/06/14（水） TSMCがAppleの「iPhone 7」に提供したSoC積層技術
三次元の積層システムチップ（SoC）は、従来型の平面に広がる二次元システム
チップの各ブロックを分割して、三次元に積層して積層間を配線する積層技術。
その結果、SoC積層技術で三次元に何層も積層した3DLSIはスピードが高速、消費
電力は低く、チップサイズは数分の一まで小型化できた。
二次元の各ブロックを三次元で自由に積層するので、従来のように横に広がって
大きくなるだけのLSIに比べて、上下に多数の配線を短くストレートで結べるので、
データ速度は数十倍も高速になった。
サムスンは、今まで独自に開発してた技術は１つも無いから、いつものように
他社から盗むしかない。
2017年3月に発売された「iPhone 7」のA10チップはTSMCの三次元SoC積層技術。 SSDでメチャ儲けてんちゃうん?平気やろ。
それにしてもSSD高なったなー、480GBのん1万以下に早よならへんかな。 2016年にサムスンが7nmプロセスはEUV露光ステッパーで行くと大量導入を
決めた時点で終っているよ。
EUV露光は7nmどころか10nmすら満足に出来ないから他はさじを投げているのに。
2020年までにEUVが使い物になるかすら怪しい装置。 >>85
うむw
日本家電企業 総売上45兆
朝鮮家電企業 総売上25兆
糞尿の奴隷乞食バ韓国人はいつもボロ負けwwww >>129
サムスンは3D積層化技術持ってなかったの？
え？既にそれが常識だと思ってた
ウェハーに配線を印刷する製造装置を作る日本メーカーだって3D積層化対応済みだろうに
だからiPhone7向けA10でTSMC製よりサムスン製の方がパッケージが大きかったのか！
同じ設計図なのに何で大きさ変わるのか不思議だった
シンガポールのツインタワーも同じで韓国人はひとと同じもの作るのが嫌なのか？ >サムスンは11日、ソウルで開いた説明会で、性能のカギを握る回路線幅
>の微細化について記したロードマップを示した。---2017/07/11
>
>新たな製造技術「ＥＵＶ（極紫外線）露光」を使った７nmを2018年、
>その次の５nm品と４nm品をそれぞれ2019年と2020年に顧客から注文を
>受ける方針を伝えた。
↑
やはり、ＥＵＶ露光器を大量に買い込んでいたのはサムスンだった。
ラインはＥＵＶになっているから今更変更も出来ない訳だｗｗｗ
このＥＵＶステッパーは15nm〜10nmでも上手に行っていなんんだよね。
各社は試験用で購入してやっているが上手に行かない。多くがサジを
投げているんだよね。
7nmまではArF液浸ステッパーで完璧に行ける。日本も7nmのArF液浸ステ
ッパー装置を出しているほど。
その先の５nmは２年前までＥＵＶステッパーがもてはやされていたけど
最近はダメ出しだらけで、ＥＵＶが使えるのは2020年先〜？て感じだよ
＞ Qualcommが7nmチップの発注先をTSMCに変更した背景には、2つの理由がある。
＞ その２とは・・・・
＞・Samsungの7nmノードの開発が遅れていること。
＞・SamsungにはTSMCがAppleの「iPhone 7」向けSoCに適用している積層技術がないこと。
やはりサムスンは10nmをEUVステッパーでやって失敗連続していた訳だｗ
当然のこと7nmなんか上手くいかなくて当然。
ArF液浸ステッパーなら10nm、7nmも今頃は上手く行っていたろうに。
三次元積層をEUVステッパーでやるのは難しいだろなあ
技術の目処なんか立たないだろうし
そのまえに経験すら無いんだからよホルホル
Qualcommがサムスンを捨てた理由もわかる。 本当か嘘か
Appleからチップ不良率多い事でサムスンが呼び出しくって
悪いのは下請けの日本メーカだと言い張ったのでその日本メーカ呼び付けて同席させたら
日本メーカの不良率は0.00000と限りなく無いに等しい事が分かり
Apple、サムスンに檄オコ
って笑い話あったね >>140
いつもそういう事やっているからな
朝鮮人の言うことは信用できないわな 2017年6月6日、IBMがGLOBALFOUNDRIESと協力して世界初のEUVステッパー
を使って5nmの単純な微小トランジスターの製造に成功。
しかし、複雑で高密度LSIの製造となると、実用化に10〜15年は必要だろうとした。 >>136
【米国】ベトナム人と黒人が韓国人グループを集団暴行 韓国人に対する憎悪による犯罪の可能性と現地警察は分析 [08/22]
http://awabi.2ch.net/test/read.cgi/news4plus/1377181530/ ASML社のＥＵＶ露光は３年前から出ているが進歩が無い。
もうアメリカで独自開発するしか無いとまで言っているし、
5nmの壁は相当厚いよ。
それからCPUは15nmで十分、それより小さくしても消費電力が
低くなるだけでスピードは上がらない限界に達したとレーポートが
でいる。クロックスピードは既に頭打ち。
スピードを上げるには別な手法を使うとかしているし。 >>136
91: 2017/07/07(金) 21:44:23.02 ID:G0s8/ac1
NY市場に上場できないサムチョンは
嘘決算しまくり放題
96: 2017/07/07(金) 21:58:47.41 ID:G0s8/ac1
チョン企業は粉飾なのでNY市場に上場してる企業が一つもない
世界で競争するならＮＹに上場するのが当然
ソニートヨタホンダアップルインテルマイクロソフトみんなNYに上場してる >>3
チゲーよ
ヒデヨシがサムソンの工程開発を掠奪したんだよ >>132
チョン狩りもすっかり定着したなwww
【中韓】中国で韓国人への暴行事件が増加wwwwwwww日本人のフリする在中韓国人も()[04/24]
http://mint.2ch.net/test/read.cgi/news4plus/1492993191/ 何時戦争起きるか判らんしね、そんなところに仕事発注しないのは当然だろ > 2017年6月6日、IBMがGLOBALFOUNDRIESと協力して世界初のEUVステッパー
> を使って5nmの単純な微小トランジスターの製造に成功。
> しかし、複雑で高密度LSIの製造となると、実用化に10〜15年は必要だろうとした。
理由はASML社の試作ＥＵＶ露光で25nm、20nm、15nmで真ともに高密度LSIを
作れたところが無いことだ。
ＥＵＶ(弱レントゲン線)はレンズが一切使えないから、凹面鏡を何枚も使って光線
を反射させながら小さく絞って行くが、問題はこの凹面鏡に50nmの凹凸が有るだ
けで光線が乱れてしまう。
物理的にガラスレンズと違って金属面鏡の表面を50nm以下にツルツルにする技術
が確立してないことだ。
レンズはコーティングすることで表面は1nm以下のツルツルになる。
金属面鏡にコーティングは出来ない。空気に触れるだけでレントゲン線は劣化する
からコーティングも意味が無い。金の蒸着などは表面が1000nmの凸凹になる。
IBMが5nmの単純な微小トランジスター(8本のトランジスターが立った物)の製造に
成功したものは、元のマスクが大きく単純な物を反射させて絞って成功させたもの。
この単純で大きなマスクサイズで高密度LSIのマスクを作ったら、100メートルの
巨大なマスクになる。しかも直径100メートルの凹面鏡が何枚も必要になり、実用化
に10〜15年は必要だろうとする理由だ。 >>132
うむw
ザマアwwww
中国で韓国人が暴行される被害が多発wwwwwwww暴行を免れるために日本人のフリをする韓国人も
http://hayabusa8.2ch.net/test/read.cgi/news/1493041624/ ７nmは10nmラインの改良なので、10nmラインの実績がないからダメなサムスン
【ＴＳＭＣ】ＴＳＭＣが次世代半導体７nm生産で１２製品受託生産、サムスンに先行 2017/05/26
http://egg.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1495802695/
【IT・通信】サムスンがクアルコムから７nm生産で受注失敗 2017/06/15
http://lavender.2ch.net/test/read.cgi/news4plus/1497495659/
ああ〜、とうとう中国にも抜かれた・・・
10nmも未だに作れないサムスンが嘆く。
そうだ！4nmラインなら簡単に作れるニダｗ
根拠の無い妄想にすがり付くお笑いサムスンｗ ASML社はレンズメーカーで無いんだよなあ。
レンズはカールツァイスに丸投げ。
ガラスの凹面鏡なら可能だろうけど、
金属の凹面鏡となるとレンズ屋には未知の世界。
金属の表面の凹凸を10nm以下なんかやり方すら分からないだろ。
ミクロン単位の工作機の凹凸なんか手作業磨きだよ。
それがnmとなると人間の手なんかもう無理です〜
それに金属はnm単位は指先の温度で簡単にゆがむ。 ネトウヨが認めない真実。
結果は失敗でも過程が成功なら、半分成功ニダ。 ガラスの凹面鏡ではレントゲン線は透過してしまう。
金属でもアルミなんかはレントゲン線は透過してしまう。
レントゲン線を透過せず反射させる金属としてモリブデン鋼が最適とされているが、
このモリブデンがタングステンの次に硬い重金属でブルドーザーや戦車のギアに
使われているレアメタルで超硬金属で加工は超難しい。 ＥＵＶ(弱レントゲン線)の露光ステッパー
ASML社はレンズメーカーでは無い。
ASML社はＥＵＶ(弱レントゲン線)を金属の凹面鏡を何枚も使って
マスクパターンを反射させてnmにまで集光させて行くのだが・・・・
問題は金属の凹面鏡にある。
金属の凹面鏡の問題
金属専門家に言わせると金属のnm単位は金属のナノ結晶の一粒
一粒が露出して見える状態で、このつぶつぶ結晶を削った、結晶面
で反射させている。つまり"つぶつぶ"結晶面でバラバラに反射させ
ているようなものだから反射が乱れて当然だということだ。
金属粒子の結晶が無い、単一結晶の金属でも発明されない限り
不可能な話しだそうだ。
レンズなんか大型単結晶でつぶつぶ結晶でないから半導体光学
系に使えた。
こういった理由で金属の凹面鏡の問題で、ニコンはＥＵＶ(弱レン
トゲン線)露光ステッパーにダメ出しの結論を出したらしい。
簡単に言うと、金属の表面は「ヒビ割れしたガラス」だから反射鏡に使えないと言うこと。
http://www.kawaju.co.jp/rd/material/performance/images/kinzoku_p_07.jpg
ASML社はＥＵＶ(弱レントゲン線)の光源も外部に丸投げ。
弱レントゲン線の光源の出力を上げる必要があるが、
コイツも難題で光線のバラツキが酷く均一なクリーンな
光線でなくてはならないが、そうはならない問題山積み。
発射される弱レントゲン線が汚い、反射しながら
マスクまで導くと均一な光線で無いなどなど・・・。
サジを投げたところが多いね。 こういう話題に日本の名前が上がらなくなって久しいな ＞ Qualcommが7nmチップの発注先をTSMCに変更した背景には、2つの理由がある。
＞ その２とは・・・・
＞・Samsungの7nmノードの開発が遅れていること。
＞・SamsungにはTSMCがAppleの「iPhone 7」向けSoCに適用している積層技術がないこと。
↓
ASML社は7〜5nmに使えるＥＵＶ(弱レントゲン線)露光ステッパーを２０台もサムスンに
売ったから、君たちもサムスンに習って買うべきとのセールストークは有名だしね。 ステッパー、ニコン逆転できんの？
半導体はダメたが、製造機でなんとか踏ん張りたい ＞サムスン電子の広報担当者はＮＮＡの取材に対し「報道の内容は確認できない」と答えた。
涙で見えないのかな？ ＞ステッパー、ニコン逆転できんの？
逆転は不可能。打ち止め。
ニコンは2016年に7nmの量産用「ArF液浸」ステッパーを出しているけど、
ASML社の7nmの量産用「ArF液浸」ステッパーが半導体工場にほとんど入っており需用が無い。
「ArF液浸」ステッパーの限界が7nmなのでこれで終り。
5nmからはＥＵＶ(弱レントゲン線)露光ステッパーしか無いが、
これが光学的問題が多すぎて、専門家のニコンは早々に見切りを付け辞めた。
ステッパーは辞めて周辺工程装置に。
5nmのＥＵＶステッパーは世界でASML社のみ。
光学系が素人であるASML社だからチャレンジ出来ている状態。
光学系をカールツァイスが担当しているものの、次第にサジを投げ
出す感じになっている。3nmは2030年頃に何とかなるんじゃないの
とか他人ごとになっている。
【韓国】 サムスンがクアルコムから７nm生産で受注失敗 EUV露光工程開発で遅れ 2017/06/15
http://lavender.2ch.net/test/read.cgi/news4plus/1497495659/168
サムスンは半導体大手クアルコムから７nmのＬＳＩ受託生産で新型「スナップド
ラゴン」の受注に失敗した。
クアルコムは７nmのＬＳＩ受託生産を台湾ＴＳＭＣに委託した。サムスンが受注
ができなかった背景に、７nmの工程開発で最先端「EUV(弱レントゲン線)露光」
の遅れがあるという。
サムスンは今年5月からＬＳＩ受託生産を手掛ける「ファウンドリー事業部」を独立
させたばかり。売上高目標５兆ウォン（約4750億円）のうち、クアルコムで２兆ウ
ォンを見込んでいた。
【韓国】 サムスンがクアルコムから７nmのＬＳＩ受注で失敗した２つの背景 2017/06/29
http://lavender.2ch.net/test/read.cgi/news4plus/1497495659/169
クアルコム7nmチップの発注先をTSMCに変更した背景には、2つの理由がある。
1・サムスンは7nm生産ラインのEUV露光工程の開発が遅れていること。
2・サムスンにTSMCがAppleの「iPhone 7」向けSoCに適用している積層技術が
無いこと。
TSMCは7nm生産ラインで「ArF液浸」で安定した生産体制に入っているが、サム
スンに7nmの「ArF液浸」工程生産ラインが無いこと。
TSMCはApple「iPhone 7」に提供したSoC積層技術がある。SoC積層技術とは、
三次元の積層システムチップ（SoC）で、従来型の平面に広がる二次元システム
チップを各ブロック毎にを分割して、三次元で積層して上下に配線する最新積層
技術。
その結果、従来型の二次元で横に平面に広がるLSIより、三次元SoC積層した
3D-LSIはスピードが高速になり、消費電力も低く、チップサイズは従来の数分の
一まで小型化できた。
二次元のLSI平面ブロックを三次元で自由に積層するので、従来のように横に広
がってチップサイズが大きくなるだけのLSIに比べ、上下に多数の配線を短くスト
レートで結べるので、データ速度は数十倍も高速になる。
サムスンの10nmラインでSnapdragon ８３５が上手くいっているのかよwww >>168
>>169
>EUV露光
ググったら、これが軌道にのるとニコン・キャノンの製造装置開発が
さらにピンチになるのね・・・ サムスンは去年の夏に10nmの生産を始めたと発表したが、実際は今年6月に
ようやく歩留が改善して、10nmのSnapdragon 835の供給に目処がついたところ。
サムスンは「ArF液浸」装置14nmラインで失敗。12nmの「ArF液浸」装置を
10nmに改良して、去年の夏に10nmの生産を始めたと発表。サムスンとして
は「ArF液浸」装置は10nmで限界打ち止め。
サムスンは7nmラインからＥＵＶ(弱レントゲン線)露光ステッパーを投入したが
これが全くの箸にも棒にもならないカスに、クワルコムは見切りを付けた訳。 クアルコムがサムスンのASML社のＥＵＶ(弱レントゲン線)露光ラインに見切りをつけた理由。
米Global FoundriesがASML社のＥＵＶ(弱レントゲン線)露光は使い物にならない。
米IBMも ASML社のＥＵＶ(弱レントゲン線)露光は使い物にならない。
と言っていることが大きいよ。
それからインテルもAMDもＥＵＶ露光は使い物にならないとレポートしている。
ＥＵＶ露光での大規模LSIは2020〜2030年になったら何とかなるんじゃねえの状態。 この感電もサムスンだな
【中国】ネトゲ廃人が本当の廃人になる瞬間！中国のネットカフェで突然“感電死”した少年、周囲は無関心[8/12] [無断転載禁止]©2ch.net
http://lavender.2ch.net/test/read.cgi/news4plus/1502549727/ 2017年6月6日、ＩＢＭが米Global Foundriesと協力して、世界初となる
ASML社のEUV(弱レントゲン線)ステッパーを使って5nmの単純な微小
トランジスター(トランジスターが8本立った物)の製造に成功した。
しかし、EUVステッパーで複雑な高密度LSIの製造となると、解決すべ
き問題が山積みで実用化に10〜15年は必要だろうとした。
クアルコムは、サムスン工場のEUVステッパーの最新の7nm生産ライ
ンを見たが、開発が遅れて見込みがないと判断をした訳。 なんか、こういうのは全部、台湾に行きそうだなあ…… ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
