【ソウル聯合ニュース】韓国のサムスン電子は８日（現地時間）、米カリフォルニアで開幕した「フラッシュメモリーサミット」で、世界最大容量となる１テラビット（Ｔｂ）の「Ｖ―ＮＡＮＤフラッシュメモリー」を初公開したと伝えた。

Ｖ―ＮＡＮＤは３次元の垂直構造に回路を積み上げ集積度を高めたフラッシュメモリー技術で、主にスマートフォン（スマホ）やデジタルカメラなどのデータ保存装置として使われる。

新たに公開した製品はデータを保存する３次元セルの容量を従来品の２倍に増やしたもの。

１Ｔｂは１２８ギガバイト（ＧＢ）で、映画１本の容量を１．５〜２ＧＢとすると約６０〜７０本をチップ１枚に保存できる。サムスン電子はこの１ＴｂのＶ―ＮＡＮＤメモリーを搭載した最大容量の記憶装置ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）を来年から本格的に販売する計画だ。

サムスン電子はあわせて、従来品から性能を画期的に高めたハイエンドＳＳＤ製品「Ｚ―ＳＳＤ」なども公開した。

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ハイエンドＳＳＤ製品「Ｚ―ＳＳＤ」（サムスン電子提供）＝９日、ソウル（聯合ニュース）