「サムスン133兆賭け」非メモリ　政府も走る... 「1兆、R＆D」通過
科学技術革新本部、「次世代インテリジェント半導体技術開発」事業通過

　ムン・ジェイン大統領が3大重点育成産業で育てると明らかにした「非メモリー半導体」の分野の競争力強化のために、政府が国家研究開発（ R＆D）に、今後10年間で1兆ウォンを投入する。
先にサムスン電子が2030年までに133兆ウォンを投資し、世界1位を達成すると明らかにした非メモリ半導体の育成に政府も政策の力量を集中するという意志とみられる。

　28日の科学技術情報通信部によると、科学技術革新本部は科技情報通信部と産業通商資源部が
申請した国家R＆D事業「次世代インテリジェント半導体技術開発」の予備妥当性調査を25日通過させた。

　今回、政府は、非メモリー分野で、今後10年間で1兆ウォンを投資することになる。
具体的に科学技術情報通信部は、インテリジェントな半導体分野の将来の源泉技術を、産業省は、システム半導体などの次世代半導体分野の技術開発事業を組織することになる。
当初二省庁が申請した事業規模は1兆5000億ウォンだったが、1兆ウォンに最終的な承認された。

　半導体メモリと非メモリに分けられる。
その中、世界市場での売上高の割合は、非メモリが70％と圧倒的である。
非メモリの中でも、システム半導体は、全体の半導体市場の50％以上を占めるほど重要である。
サムスン電子とSKハイニックスなど韓国半導体企業はDRAMとNAND型フラッシュなどのメモリ市場では、
グローバルシェア60％を占めるが、システム半導体をはじめとする非メモリ市場の割合は3〜4％に過ぎない。
https://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&;mid=shm&sid1=105&oid=421&aid=0003961996