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NAND型フラッシュメモリー市場で打倒・韓国サムスン電子を目指す構図が鮮明になってきた。東芝の半導体メモリー子会社「東芝メモリ」(TMC)の売却先は、韓国SKハイニックスが参加する日米韓連合に決定。米インテル、米マイクロン・テクノロジーも新技術の投入で追撃を狙う。

ただTMCはSKとの協業のあり方や米ウエスタンデジタル(WD)との和解といった課題を抱える。TMCはメモリー市場で勝ち抜く最良の戦略を描く必要がある。

「サムスンは一番の競合。意識せねばならない」。13日にメモリーの主力拠点である四日市工場(三重県四日市市)で会見した、TMC社長の東芝の成毛康雄副社長は、追撃の意志を鮮明にした。

売却先である米ベインキャピタルを中心に経営の後ろ盾を得て「三次元(3D)構造NAND型フラッシュメモリー」の積極的な増産投資に踏み切る。

現在建設中で2018年夏に稼働開始予定の第6製造棟では、最新鋭の96層3D構造NANDを量産する予定。決定していた1950億円に加え、1100億円を追加投資する計画だ。

これも含めて17年度のメモリー事業の投資額見通しは計3800億円だが「判断ベースではさらに積み増す可能性がある」(成毛副社長)。18年度以降も、年3000数百億円規模の投資を続ける方針だ。

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さらに18年には岩手県北上市で、新工場の建設を始める。四日市工場の隣接地の買収に着手したことや、第7製造棟の構想も明かした。

成毛副社長は「岩手は事業継続計画(BCP)の面もあり、増産対応に活用する」と説明。第7棟は「かなり長い時間軸で考える。四日市が開発拠点でありマザー工場であるとの位置づけは変わらない」という。

「SKとサムスンがNAND事業で組むのではないか」―。業界では以前からそんなうわさがささやかれていた。これまでNAND市場では不動の首位サムスンに対し、東芝・WD連合、インテルとマイクロン連合、SKハイニックスが対峙(たいじ)する構図だった。

業界下位で単独での戦いは厳しいと見られていたSKが、どこと組むかが一つの焦点だった。サムスン陣営がSKを取り込めば、日米勢の競争環境はより厳しくなる。業界関係者は「東芝連合にSKを入れた理由は、打倒サムスンの一点のみ」と分析する。

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ただし現時点でSKとNAND事業で協業するのは難しい。元来の協業相手でWDの子会社、米サンディスク(SD)との合弁契約に抵触するからだ。

成毛副社長も「NANDはSD中心に考える。120―130層の次世代3D構造NANDについても、SDと開発を進める」と、WDとSKの連携範囲をすみ分ける考えだ。

ではSKの連合入りでTMCはメリットを享受できるのか。元東芝副社長でデバイス&システム・プラットフォーム開発センターの齋藤昇三会長は「周辺技術の開発を一緒に進めるだけでも、メリットはある」とする。

例えば製造装置や部材の共同開発でコストを削減できるほか、将来のユーザーが増えるため装置メーカーの開発優先度が高まることが期待できる。

SKとはすでに連携している次世代メモリーのMRAMや、次世代製造技術の「ナノインプリント」以外の分野で協業関係を深める方向を探っていくことになる。SKが今後、NAND事業への関与を強めたいと動く可能性は否定できないが、「SKとの関係はWDとの関係をどう整理するか次第だ」(関係者)。

打倒サムスンを狙うのはTMCだけではない。インテルとマイクロンは、NANDメモリーの共同開発などで10年以上前から協業を開始。3D構造NAND製造プロセスを共有し、両社とも年内に64層品の投入を表明している。

https://newswitch.jp/p/10727

>>2以降に続く)