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サムスン電子は１－３月期にＤＲＡＭ市場でのシェアが昨年の４３．１％から４３．０％に小幅下落したと公示した。サムスン電子は今年初めまで「人為的減産はない」という立場を守ったが、「無減産」を通じたシェア拡大はできなかった。これに先立ちＳＫハイニックスとマイクロンはすでに昨年に減産と投資縮小計画を明らかにした。サムスン電子は先月２５年ぶりにメモリー減産という「劇薬処方」を出した。

投資ではサムスン電子とＳＫハイニックスが相反する姿を見せた。業界は、サムスン電子は未来の収益源創出に向けた種まき、ＳＫハイニックスは財布のひもを締めるものと解釈した。サムスン電子は１－３月期の研究開発費用として前年同期の５兆９２２６億ウォンより１１．１％増となる６兆５７９０億ウォンを執行した。過去最大規模だ。１－３月期の設備投資額は１０兆７３８８億ウォンで、このうち半導体に９０％を超える９兆７８７７億ウォンを投資した。

ＳＫハイニックスの研究開発費用は前年同期の１兆２０４３億ウォンより９．５％減った１兆８９５億ウォンと集計された。設備投資額は前年同期の４兆６９３０億ウォンより６２．８％減少した１兆７４８０億ウォンとなった。

中央日報日本語版　2023.05.16 10:20
https://japanese.joins.com/JArticle/304401

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