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世界の半導体業界が「2ナノ戦争」に突入 韓日米台湾のメーカーが競争 [6/29] [ばーど★]
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0001ばーど ★
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2023/06/29(木) 18:18:31.79ID:8Bm+YGN0
半導体ファウンドリー(受託生産)の世界市場で主導権を握るための「2ナノ戦争」が本格化した。人工知能(AI)と自動運転などに欠かせない先端半導体生産のために韓国、台湾、米国、日本など半導体強国が揃って参入した状況だ。

三星(サムスン)電子は27日(現地時間)、米国シリコンバレーで開かれた「三星ファウンドリーフォーラム2023」で2ナノ工程の量産計画を具体的に公表した。三星電子はファウンドリー顧客社とパートナー社などから700人余りが集まったフォーラム会場で、「2025年にモバイル向け2ナノ工程を量産し、2026年に高性能コンピューティング(HPC)用を、2027年には車両用工程の量産に入る」と明らかにした。また「最先端の2ナノ工程は3ナノに比べて性能は12%、電力効率は25%向上し、面積は5%減少するだろう」と公開した。

ファウンドリー工程でナノメートル(nm=1nmは10億分の1メートル)は半導体回路の線幅を意味する。線幅が狭いほど、同じ大きさのウェハーからより多くのチップを生産することができる。生産性を上げることができるうえ、半導体チップの性能を高めることができるため、ファウンドリー企業は激しい超微細工程競争を繰り広げている。今のところ、三星電子と台湾TSMCが3ナノ量産に成功した中で、2ナノが次の激戦地として浮上したのだ。

三星電子が2ナノ工程の具体的な製品別の生産ロードマップを明らかにしたのは初めてだ。半導体業界の関係者は、「これは単純に量産目標だけを明らかにしたのではなく、すでに部門別の顧客会社を確保していることを意味する」とし、「ライバル会社と市場に対して自信を示したもの」と話した。

三星電子は昨年のファウンドリーフォーラムで2025年に2ナノ、2027年に1.4ナノ工程の量産を目標に掲げていると公表した。TSMCも2025年の2ナノ工程量産を目標にしている。後発ランナーの米インテルは、2025年上半期に2ナノ級の20A(オンストローム)、下半期に1.8ナノ級18A工程量産計画を提示した。さらに、昨年下半期にトヨタとソニー、NTT、ソフトバンクの8社が合弁して発足した日本ラピダスも米IBMから技術移転を受け、2025年に2ナノ試作品の生産、2027年には2ナノ量産を宣言した。

ファウンドリー戦争で三星電子は2ナノ超微細工程を通じてAIなど高性能・高付加価値半導体市場を持ってくるという抱負だ。三星電子のチェ・シヨン・ファウンドリー事業部社長は「多くの顧客会社が自社製品とサービスに最適化されたAI専用半導体開発に積極的に乗り出している」とし、「三星電子はAI半導体に最適化されたゲートオールアラウンド(GAA)トランジスタ技術を継続して革新していき、技術パラダイム変化を主導する」と強調した。

東亜日報 Updated June. 29, 2023 08:31
https://www.donga.com/jp/home/article/all/20230629/4255195/1
0003<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/29(木) 18:37:25.10ID:TQ27ZeWK
日?20ナノすらつくれない日?
0004<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/29(木) 18:41:22.97ID:9ce2ZAfr
>>1
すべてにおいて遅れてる



格下クソ猿チョーセンは



半導体素材や



半導体製造装置すら



マトモに作れない遅れた恥ずかしい



発展途上国だからなw
0006<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/29(木) 18:47:35.20ID:bQPcaf7U
日本なんて資源無いから
理系産業に全振りしなきゃならんのに。。

小泉〜民主党で終わったね
本当に2位じゃダメなんですか?ってアホの極みやろ
どんな分野でシェアトップが覇権取るんだよマヌケ
0008
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2023/06/29(木) 18:51:29.71ID:Uoi5DCrs
この記事は誤解してる
線幅たって統一の基準があるわけじゃない
そのへん各社が独自に線幅の基準を作って売ってる万年筆と同じ
万年筆は書いてみて比較すれば分かるけど
同じように半導体は使ってみて消費電力や性能で主張する線幅の妥当性が判断される
こういう書き方は誤解を生むだけ
0009
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2023/06/29(木) 18:58:59.22ID:Uoi5DCrs
万年筆の場合、各社ごとの基準が違うだけじゃなく同一線幅製品内で個体差のばらつきもある
外国製とかバラツキが大きくて試筆してから買わないと泣く、通販は危険
0010<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/29(木) 19:03:31.23ID:8M3eqQ7c
>>1
>韓国、台湾、米国、日本など半導体強国が揃って参入

あれ?日本を半導体強国に入れちゃっていいの?
韓国の下請けじゃなかったのかなー?ww
0011<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/29(木) 19:05:56.13ID:sww2MK04
>>1
サムスン電子はどこからギジュチュをパクるつもりなのかな?
0014<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/29(木) 19:41:06.23ID:JKe/R3SS
>>6
政界でしょ?
0015
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2023/06/29(木) 19:50:02.96ID:1ZrO6ocn
日米半導体戦争をなんだと思ってるんだ
あれ以降、どこでどんな半導体を作るかは覇権国米国が安全保障問題として決める
今は米国と支那が半導体戦争をやっていけど
支那もサプライチェーンの上流を日本に依存してるから全然楽な戦い
0017<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/29(木) 22:42:43.85ID:dzy3wRkQ
日本土俵にすら入れず意気消沈
0020<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/30(金) 02:20:15.34ID:ghWOiGBD
技術力に差が開き過ぎて今年からシステム半導体のシェアは
TSMC 70%
サムスン 12%
まで開いたって見たな
0021<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/30(金) 07:46:07.66ID:T38e9Pz0
韓国が一生懸命、歩留率の悪い微細半導体を作っている中、日本では酸化ガリウム半導体での覇権を狙っているのね。
酸化ガリウム半導体の特許周りはほぼ日本企業。
生産が進めば、シリコン製の半導体なと足元にも及ばない
0023
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2023/06/30(金) 08:16:45.19ID:xgNoOpdh
技術力とか関係ない
日米と関係が良い台湾、日米と関係が悪い南朝鮮ってだけ
社運をかけたプロジェクトを委託するとき
日米と関係が悪い国とは出来るだけ組みたくないだろう
0024
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2023/06/30(金) 08:18:57.80ID:xgNoOpdh
技術力を持ってるのは日米欧の製造装置メーカーや素材メーカーなんだから
0029<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/06/30(金) 11:35:25.65ID:cMwI0jto
>>27
そんで日本に技術ヨコセニダだもんな
100億歩譲って技術提供したら感謝低頭するならまだしも
反日を強めて上から目線の文句と
日本攻撃だけしてくる国
無価値にも程がある
0031<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/07/07(金) 06:20:52.67ID:qLnIaM85
チョンは中国に着けよ
コッチくんな鬱陶しい猿!
0032<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/07/07(金) 06:25:48.18ID:sSKWxs8o
ジャップよ
分かったな?
0033<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/07/07(金) 07:55:06.51ID:AgGGAEcW
日本が1ナノ開発成功だってよ

【衝撃】日本が開発した「1nm半導体技術」に世界が震えた!【次世代半導体】
https://www.youtube.com/watch?v=kSzWSN0bfYE
0035<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/07/23(日) 19:11:38.87ID:w7HnZ9vq
>>32
日本の半導体も徐々にきてるらしいから見ててくれ。
0036<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/07/23(日) 19:28:01.03ID:1QxQYmzi
2nmはrapidasが最初に開発するよって言った
ものでしょ。まだ世界は4nmすら量産出来てないでしょ。10年後の話じゃないの。今までの積み上げ
式の開発じゃ難しいから、一から設計し直すって
話だったぞ。
0037<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/07/23(日) 19:36:18.69ID:eDZ9JNgW
サムスンの半導体事業は、ファンドリー事業単体で業績を公表していない。
非メモリー全体の業績を公表しているだけ。実はファンドリー単体の業績は不明なのだ。
来年、インテルはファンドリー中心に形態変えてきて、数字上のファンドリー世界シェアで
サムスンを超えてTSMCに次ぐ2位になる。
0038<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
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2023/07/23(日) 19:40:04.42ID:eDZ9JNgW
今、プロセスノード(3ナノ、4ナノなど)は、微細化が限界に来ているため、回路パターンの線幅や線間隔をほとんど微細化せず(実際のところ3ナノや4ナノなんてどこにもない)、単位当たりの面積を削減するエリアスケーリングを採用している。
3ナノなんていっているが、意味は当社比較3ナノ相当って言っているだけ。実際のところ商品名にすぎないと言うやつもいる。
TSMCの方が速度など性能がいいんだよな。
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