0001右大臣・大ちゃん之弼 ★ 転載あかん
2019/03/22(金) 11:37:24.33ID:CAP_USERサムスン電子は3年前に回路線幅10ナノメートル台のDRAMの生産を開始した。その製品を第1世代と位置づけ、徐々に回路線幅を狭めた。第3世代を第1世代と比較すると、回路線幅が10%以上狭まったという。
メモリー半導体では、回路線幅が微細であるほど、1枚のウエハーで生産できるDRAMの個数が増えるほか、半導体の電力消費量も抑えられる。サムスン電子は第3世代製品の生産性が前世代の製品よりも20%改善し、データ処理速度も速まったと説明した。
サムスン電子メモリー事業部の李禎培(イ・ジョンベ)副社長は「微細工程の限界を克服し、次世代のメモリー半導体を迅速に投入している。今後もプレミアム級のDRAMのラインアップ拡大に継続的に投資を行い、未来技術をリードしていく」と述べた。
カン・ドンチョル記者
http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2019/03/22/2019032280012.html
朝鮮日報/朝鮮日報日本語版 2019/03/22 09:01