中国ファーウェイが新型スマートフォン「Ｍａｔｅ　６０　Ｐｒｏ」に自国企業ＳＭＩＣが開発した７ナノメートル
（ｎｍ、１ナノ＝１０億分の１メートル）の半導体とＳＫハイニックスが製造したＤＲＡＭを搭載したことが分かった。
このため、米国の輸出統制の実効性に対する疑問が高まっている。
米国では「すべての技術輸出を中止しなければならない」という強硬な声が上がっている。

７日、情報技術（ＩＴ）業界と外信などによると、中国ファーウェイは最近７ナノ工程プロセッサーが搭載された
第５世代（５Ｇ）スマートフォン「Ｍａｔｅ　６０　Ｐｒｏ」を披露した。
ブルームバーグ通信は半導体コンサルティング会社テックインサイトに依頼し、この製品を解体分析した結果、
ＳＭＩＣが製造した「Ｋｉｒｉｎ　９０００ｓ」のチップが搭載されたと報じた。
ＳＭＩＣは中国１位、世界５位のファウンドリ（半導体委託生産）会社だ。
テックインサイトはこのチップに対して「世界最先端技術より２〜２．５段階遅れており、
中国政府の自国内半導体のエコシステムの構築に向けた努力がある程度進展を見せていることを示唆する」と明らかにした。
そして「（米国の）ビンタをすること」と表現した。

世界１位のファウンドリであるＴＳＭＣの創業者であるモリス・チャン氏は３月、台湾のある半導体行事に参加し
「中国の技術は台湾より５〜６年遅れている」と診断したことがある。
ＴＳＭＣが７ナノメートル工程を活用した半導体を作ったのは２０１８年４月だ。

米国政府はこれまで中国が最先端技術より約８年遅れた１４ナノメートルチップに接近することを遮断してきた。
２０１９年からはファーウェイとＳＭＩＣをブラックリスト（取引制限）に入れて管理した。
しかし、このような制裁をあざ笑うかのように、中国は技術格差を８年から５年に縮めた。

中国半導体技術の急成長の背景には、中国政府と企業の莫大な投資があった。
ファーウェイは昨年、研究開発（Ｒ＆Ｄ）に１６１５億元（約３兆２３８０億円）を投入した。
全体売り上げ６４２３億元の２５％に迫る。この１０年間のＲ＆Ｄ投資額は計９７７３億元で、
これはアルファベット（グーグル）、メタ、マイクロソフトに次いで世界４位だ。
ー後略ー

9/8(金) 7:09配信
https://japanese.joins.com/JArticle/308797?sectcode=320&servcode=300
https://japanese.joins.com/JArticle/308798